日前，日本三井化学公布将于其岩国年夜竹工场设立碳纳米管 (CNT) 薄膜出产线，最先量产半导体最尖端光刻机的零部件产物（掩护半导体电路原版的薄膜质料“Pellicle”的新一代产物）。
据悉，此种CNT薄膜可以实现92%以上的高EUV透射率及跨越1kW暴光输出功率的光阻能力。三井化学预期年产能力为5000张，出产线估计在2025年12月落成，可为ASML将推出的下一代高数值孔径、高输出EUV光刻机提供撑持。
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