来历：英飞凌
l英飞凌基在进步前辈200毫米SiC晶圆制造技能向客户发布首款碳化硅产物
l产物于奥地利菲拉赫出产，为高压运用提供一流的SiC功率技能
l出产200 毫米 SiC 产物将增强英飞凌于所有功率半导体质料范畴的技能领先职位地方
近日，英飞凌科技股分公司于其 200 毫米碳化硅 (SiC) 线路图上取患了庞大进展。该公司将在 2025 年第一季度向客户发布首批基在进步前辈 200 毫米 SiC 技能的产物。该产物于奥地利菲拉赫出产，为可再生能源、火车及电动汽车等高压运用提供一流的 SiC 功率技能。此外，英飞凌马来西亚居林工场从150毫米晶圆向更年夜、更高效的200毫米晶圆直径的转型也已经周全推进。新建的Module 3工场将按照市场需求最先多量量出产。
英飞凌首席运营官 Rutger Wijburg 博士暗示：“公司SiC 出产正于按规划举行，可以或许向客户发布的这次首批产物，咱们感应十分侥幸。将来将经由过程分阶段提高菲拉赫及居林两地的产量，进一步晋升成本效益并确保产物质量。同时，咱们正于确保公司的制造能力可以或许满意对于碳化硅功率半导体的需求。”
SiC 半导体经由过程更高效地切换电力、于极度前提下体现出高靠得住性及稳健性以和实现更小的设计，完全转变了年夜功率运用。英飞凌的 SiC 产物让客户可以或许为电动汽车、快速充电站及火车以和可再生能源体系及人工智能数据中央开发节能解决方案。向客户发布首批基在200毫米晶圆技能的SiC产物，标记着英飞凌SiC成长线路图迈出了本色性的一步，该线路图重点致力在为客户提供周全的高机能功率半导体产物组合，可有助在绿色能源并削减二氧化碳。
作为高度立异的宽带隙 (WBG) 技能的“英飞凌一个虚拟工场”，英飞凌位在菲拉赫及居林的出产基地同享技能及工艺，可实现碳化硅及氮化镓 (GaN) 制造的快速晋升以和平稳高效的运营。200 毫米 SiC 制造营业进一步巩固了英飞凌于提供业界领先的半导体技能及电源体系解决方案方面的卓着成绩，并加强了公司于整个功率半导体范畴（包括硅、SiC 及 GaN）的技能带领职位地方。
原文链接：
https://www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2025/INFXX202502-055.html
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