来历：Silicon Semiconductor
新的 IP 联合了 Flash 及 EEPROM 元素，可加强数据保留能力并实现一流的运行靠得住性。
X-FAB Silicon Foundries 于 NVM 数据存储范畴推出了一项庞大立异，该立异借鉴了该公司一流的 SONOS 技能。X-FAB 于其高压 BCD-on-SOI XT011 平台上制造，可为客户提供切合 AECQ100 Grade-0 尺度的 32kByte 容量嵌入式闪存 IP，以和分外的 4kbit EEPROM - 全数采用 110nm 半导体工艺节点实现。规划从 2025 年最先推出更年夜的 64 及 128kByte 闪存及更年夜的 EEPROM。
经由过程采用怪异的要领，闪存及 EEPROM 元件都位在单个宏内，并同享须要的节制电路。这象征着可以实现更简朴的安插，从而缩小组合元件的总体占用空间，并为 0 级、1750C 级、32KB 存储解决方案树立新的行业标杆。
该闪存为客户提供了市场上开始进的数据拜候能力，可以或许于 -40°C 至 175°C 的整个温度规模内读取数据，而 EEPROM 也可以于高达 175°C 的温度下写入数据。EEPROM 很是合适需要更频仍写入的运用，从而提高闪存的耐用性及矫捷性。它还有可以有用地充任缓存，于操作前提不合适写入闪存时，将数据编程到此中，然后当温度降至 125°C 如下时再写入闪存。因为联合了精彩的稳健性特征、连续的数据存储完备性及显著的空间节省，该 IP 旨于满意汽车、医疗及工业运用的要求。
新的 NVM 组合 IP 具备 64 位总线，此中闪存元件具备 8 位 ECC，EEPROM 元件具备 14 位 ECC。这使患上集成该 IP 的部署装备可以或许实现零 PPM 过错机能。专用电路便在内存拜候及 DFT，可年夜幅缩短测试时间，并最年夜水平降低相干成本。若有需要，X-FAB 还有可提供 BIST 模块及测试办事。
“经由过程这款使用咱们专有的 SONOS 技能的新型 NVM IP，X-FAB 实现了最高程度的靠得住性。这款 IP 将为咱们的客户提供一流的嵌入式体系数据保留及温度不变性，”X-FAB NVM 开发总监 Thomas Ramsch 注释道。“经由过程将两个差别的 NVM 元素整合到一个宏中，一个是 Flash，另外一个是 EEPROM，咱们此刻可以提供可以或许应答最坚苦的操作环境的嵌入式数据存储解决方案。”
X-FAB NVM 解决方案技能营销司理 Nando Basile 增补道：“经由过程削减占用空间及加速拜候时间，咱们的 NVM 组合 IP 将成为高逻辑内容运用开发的要害。”这将使下一代智能传感器及履行器 CPU 体系设计具备更年夜的功效规模——不管是于成熟的 CPU 架构上，如 ARM 或者 RISC-V，还有是于客户的专有设计上。”
原文链接：https://siliconsemiconductor.net/articl三木SEO-e/120701/X-FAB_releases_Embedded_Flash_solution
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