来历：湖北九峰山试验室
2023年11月，九峰山试验室基在氮化镓（GaN）质料的太赫兹肖特基二极管（SBD）研制乐成。经验证，该器件机能已经到达国际前沿程度。肖特基二极管（SBD）技能是太赫兹范畴运用广泛的焦点技能，此项结果打破了制约氮化镓SBD器件频率晋升的行业瓶颈，为实现高频、高效的倍频电路，以和小型化、轻量化的太赫兹源奠基主要器件基础。
九峰山试验室6英寸GaN SBD Wafer和布局
面向将来开发太赫兹焦点技能
太赫兹技能具备分辩率高、标的目的性强、信息量年夜、安全性好等长处。肖特基二极管(SBD)则是太赫兹范畴很是主要的一类器件，它具备强电容非线性，可以对于输入旌旗灯号频率天生高次谐波，倍频输出太赫兹(THz)旌旗灯号。而氮化镓（GaN）的质料特征能使此类器件具备高频、高功率、低损耗等长处，是以氮化镓肖特基二极管（GaN SBD）被认为是实现全固态、小型化和轻量化太赫兹源的焦点器件。
冲破瓶颈器件机能达国际前沿程度
传统的氮化镓肖特基二极管存于串联电阻年夜、寄生电容高的问题，严峻制约了器件频率的晋升。面临挑战，九峰山试验室研究中央无线技能组，于阐发制约器件频率特征晋升的要害因素后，从质料及器件两方面入手举行设计。经由过程开发具备强极化超薄势垒的GaN异质布局，二维电子气的面密度及迁徙率显著晋升、质料电阻较着降低；同时低寄生肖特基结布局则有用降低了开启电压、减小寄生电容，使器件频率特征进一步晋升。
仿真成果于器件制备流程方面，团队开发了高精度光刻和低毁伤刻蚀技能，持续霸占了绝缘衬底GaN小尺寸器件的光刻暴光精度差、套刻容差年夜、刻蚀毁伤年夜等多项要害工艺问题；并制订及实行了全套微不雅表征和电学特征测试方案。终极测试成果注解，该器件零偏时结电容最小仅为6fF，最年夜截止频率跨越1U8国际官网.5THz，处在海内领先和国际进步前辈程度。
氮化镓SBD器件机能对于比图
团队先容
吴畅博士
九峰山试验室研究中央无线范畴首席专家
华中科技年夜学集成电路学院兼职传授
湖北省电子信息尺度化技能委员会委员
曾经前后主持或者介入多个国度级和省部级重点研发项目，领导团队专注立异性毫米波、太赫兹和微波光子学器件基础研究，从物理基础、器件工艺及模子出发，重点冲破新型三维栅布局、强极化势垒、高鲁棒性器件模子等要害技能难点。这些焦点器件的基础研究为面向将来更高频率、更年夜带宽及更低功耗等通讯传输需求提供了主要的技能保障。
-三木SEO-
项目经理微信
移动版官网
