来历：Chosun Biz
韩国科学技能研究院率先采用进步前辈质料开发多功效半导体元件的立异技能。
韩国科学技能院 (KAIST) 的Lee Ga-young传授和其研究团队开发出一种基在硒化铟的双极多功效晶体管。照片从左到右依次为：Lee Ga-young传授、硕士生 Yeom Dong-joo、硕博连读生 Kim Min-soo 及博士生 Seok Yong-wook。/图片由 KAIST 提供
新一代二维半导体纳米质料硒化铟（InSe）因其比硅半导体更优秀的电子迁徙率及两倍以上的饱及速率而备受存眷，但其运用遭到限定。韩国海内研究职员开发出一种使用硒化铟加强N型及P型半导体和阳极机能的技能。
韩国科学技能院（KAIST）传授Lee Ga-young和其研究团队12月30日公布，开发出基在纳米半导体硒化铟的双极多功效晶体管。硒化铟是由铟及硒构成的无机化合物半导体，呈二维层状布局。
到今朝为止，硒化铟仅用作 N 型半导体质料。N 型半导体是带负电的自由电子流动以孕育发生电流的半导体。然而，用硒化铟实现 P 型半导体一直很坚苦。P 型半导体是利用带正电的“空穴”孕育发生电流的半导体，但硒化铟没法引诱空穴。
研究团队使用硒化铟质料设计了一种孕育发生空穴的新型器件布局。他们经由过程于硒化铟下方放置电极并改善金属半导体结特征，乐成实现了双极特征，使电子及空穴选择性流动。新开发的双极半导体器件可运用在 N 型及 P 型晶体管。
特别，于本研究中，N型及P型的电流开/关比都跨越了10亿。更高的开/关比注解纵然于低功耗下也能够实现高机能。对于在硅半导体器件，典型的开/关比一般低在1亿。对于在可以或许同时驱动N型及P型的双极二维半导体，还有没有同时实现两个开/关比跨越1亿的环境。二维半导体是指于垂直标的目的上具备层状布局的半导体。
Lee传授暗示：“多功效器件凡是需要繁杂的加工及布局，这使患上制造及集成具备挑战性。然而，于这项研究中，咱们乐成地创造了一种可以于单个器件中实现多种功效的多功效器件。”他增补道：“这项技能有望提高加工效率并提高电路设计的矫捷性。”她进一步指出：“这项研究为基在硒化铟的P型合用性提供了新的看法，并终极展示了其作为互补多功效体系的潜力。”
该研究结果18日发表于国际纳米物理学期刊《纳米快报》上，并当选为该期刊的封面文章。
参考资料
Nano Letters (2024), DOI: https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c04624
原文链接：
https://biz.chosun.com/en/en-science/20U8国际官网24/12/30/HPWO4W74YJGVTFKUOMEMLHDPZY/
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